Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT

  Tranzystory z kanałem N THT (4 059 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 48A; 1000W; TO264 (2 ofert) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,14Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1kW Polaryzacja: unipolarny...
IXYS
IXFK48N60Q3
od PLN 78,35*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPW60R037P7XKSA1
od PLN 26,781*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 48A; 540W; ISOPLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 85mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 540W Polaryzacja: unip...
IXYS
IXFR80N60P3
od PLN 52,34*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 48A; 830W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 135mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 830W Polaryzacja: unipolarn...
IXYS
IXFK48N60P
od PLN 49,14*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 49A; Idm: 272A; 481W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 49A Rezystancja w stanie przewodzenia: 41mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 481W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT77N60BC6
od PLN 54,83*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPP60R600P7XKSA1
od PLN 3,01*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 4A; Idm: 11A; 62,5W; TO220AB (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,7Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 62,5W Polaryzacja: unipol...
Vishay
SIHP690N60E-GE3
od PLN 4,71*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 5,7A; 115W; TO220-3 (3 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 5,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,75Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 115W Polar...
ST Microelectronics
STP10NK60Z
od PLN 3,75*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 5,7A; 156W; TO247 (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 5,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,75Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 156W Polaryz...
ST Microelectronics
STW10NK60Z
od PLN 5,16*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 5,7A; 35W; TO220FP (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 5,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,75Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 35W Polary...
ST Microelectronics
STP10NK60ZFP
od PLN 3,70*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 5,7A; Idm: 36A; 115W; TO220 (1 Oferta) 
Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO220 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 5,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,65Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 115W Polaryzacj...
NTE Electronics
NTE2995
od PLN 16,14*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 5,8A; 170W; TO220AB (3 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 5,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,75Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 170W Polaryzacja: unip...
Vishay
IRFB9N60APBF
od PLN 4,64*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 50A; 1040W; TO247-3 (2 ofert) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,04kW Polaryzacja: unipo...
IXYS
IXFH50N60P3
od PLN 26,75*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 50A; 1040W; TO3P (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,04kW Polaryzacja: unipolar...
IXYS
IXFQ50N60P3
od PLN 24,17*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPP60R040C7XKSA1
od PLN 30,57*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   191   192   193   194   195   196   197   198   199   200   201   ..   271   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.