Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT

  Tranzystory z kanałem N THT (4 044 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 61,8A; 400W; TO3PN (2 ofert) 
Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: TO3PN Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 61,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W Polaryzacja: unipo...
Toshiba
TK62J60W,S1VQ(O
od PLN 25,52*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 61,8A; Idm: 247A; 400W (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 61,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W Polaryzacja: uni...
Toshiba
TK62N60W5,S1VF(S
od PLN 28,10*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 61,8A; Idm: 247A; 400W (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 61,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 33mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W Polaryzacja: uni...
Toshiba
TK62N60X,S1F(S
od PLN 37,21*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 61A; 431W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 61A Rezystancja w stanie przewodzenia: 48mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 431W Polaryz...
Taiwan Semiconductor
TSM60NE048PW C0G
od PLN 40,95*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 63A; Idm: 325A; 524W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO247AC Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 63A Rezystancja w stanie przewodzenia: 23mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 524W Polaryzacja: unipol...
Vishay
SIHG018N60E-GE3
od PLN 55,75*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 64A; 1040W; PLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 64A Rezystancja w stanie przewodzenia: 96mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,04kW Polaryzacja: unipo...
IXYS
IXFX64N60P
od PLN 61,66*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 64A; 1040W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 64A Rezystancja w stanie przewodzenia: 96mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,04kW Polaryzacja: unipolar...
IXYS
IXFK64N60P
od PLN 59,91*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 64A; 1130W; PLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 64A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,13kW Polaryzacja: unipo...
IXYS
IXFX64N60P3
od PLN 36,49*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 64A; 1250W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 64A Rezystancja w stanie przewodzenia: 95mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,25kW Polaryzacja: unipolar...
IXYS
IXFK64N60Q3
od PLN 105,09*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 68A; Idm: 318A; 833W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 68A Rezystancja w stanie przewodzenia: 35mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 833W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT106N60B2C6
od PLN 73,68*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 68A; Idm: 318A; 833W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 68A Rezystancja w stanie przewodzenia: 35mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 833W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT106N60LC6
od PLN 84,93*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPZ60R017C7 tranzystor 600 V (2 ofert)
Infineon
IPZ60R017C7XKSA1
od PLN 59,30*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPP60R360P7 tranzystor 600 V (2 ofert)
Infineon
IPP60R360P7XKSA1
od PLN 3,669*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 6A; 45W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,75Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 45W Polary...
Taiwan Semiconductor
TSM10NC60CF C0G
od PLN 3,80*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 6A; 52W; PG-TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,536Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 52W P...
Infineon
IPP60R280CFD7
od PLN 4,72*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   201   202   203   204   205   206   207   208   209   210   211   ..   270   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.