Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N SMD

  Tranzystory z kanałem N SMD (4 841 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1,2kV; 8A; Idm: 32A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 280W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT1201R6SVFRG
od PLN 81,22*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 300V; 54A; 403W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 54A Rezystancja w stanie przewodzenia: 61mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 403W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT30M61SFLLG
od PLN 80,93*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 29A; Idm: 116A; 400W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 29A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,21Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6021SFLLG
od PLN 80,60*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; RF; 40V; 5A; 73W; PowerSO10RF (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Obudowa: PowerSO10RF Częstotliwość: 500MHz Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 5A Typ tranzystora: N-MOSFET Wzmocnienie: 14dB Moc wyjściowa: 15W Moc rozpraszana: 73W...
ST Microelectronics
PD55015-E
od PLN 79,93*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,5kV; 4A; 280W; TO263; 900ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 900ns Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 280W Pol...
IXYS
IXTA4N150HV
od PLN 78,16*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 50A; SMPD; 50ns (2 ofert) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Czas gotowości: 50ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tran...
IXYS
MKE38RK600DFELB
od PLN 77,62*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 68A; Idm: 200A; 459W (1 Oferta) 
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TO263-7 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 68A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 459W Pol...
Genesic Semiconductor
G3R30MT12J
od PLN 77,32*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1kV; 11A; Idm: 44A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 280W Polaryzac...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT1001RSVRG
od PLN 77,07*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 74A; 403W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 74A Rezystancja w stanie przewodzenia: 34mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 403W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M34SLLG
od PLN 77,06*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; CoolGaN™; unipolarny; HEMT; 600V; 31A; Idm: 60A (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-DSO-20 Prąd bramki: 20mA Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 31A Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mΩ Typ tranzystora: N-JFET Moc rozp...
Infineon
IGOT60R070D1AUMA1
od PLN 76,93*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; RF; 40V; 5A; 73W; PowerSO10RF (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Obudowa: PowerSO10RF Częstotliwość: 500MHz Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 5A Typ tranzystora: N-MOSFET Wzmocnienie: 14dB Moc wyjściowa: 15W Moc rozpraszana: 73W...
ST Microelectronics
PD55015S-E
od PLN 76,80*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 75V; 140A; 540W; TO268HV; 200ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268HV Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 75V Prąd drenu: 140A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 540W...
IXYS
IXTT140N075L2HV
od PLN 76,68*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 67A; 370W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 67A Rezystancja w stanie przewodzenia: 38mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M38SVRG
od PLN 75,89*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; X3-Class; unipolarny; 250V; 150A; Idm: 300A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268HV Czas gotowości: 140ns Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 150A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 735W...
IXYS
IXFT150N25X3HV
od PLN 74,64*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 12A; Idm: 48A; 298W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,95Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 298W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10090SLLG
od PLN 73,08*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21   ..   323   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.