Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Moduły IGBT

  Moduły IGBT (1 142 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☑
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Powrót
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 600V; Ic: 170A; SOT227B (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 170A Prąd kolektora w impulsie: 1,2kA ...
IXYS
IXGN320N60A3
od PLN 114,74*
za szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impuls...
Microchip Technology
APT50GT120JU2
od PLN 114,79*
za szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impuls...
Microchip Technology
APT50GT120JU3
od PLN 114,85*
za szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 62A (1 Oferta) 
Producent: POWERSEM Obudowa: ECO-PAC 2 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 62A Prąd kolektora w impulsie: 100A Z...
Powersem
PSSI 75/12
od PLN 117,37*
za szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 65A; SOT227B (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 65A Prąd kolektora w impulsie: 150A Mo...
IXYS
IXA70I1200NA
od PLN 118,75*
za szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 650V (1 Oferta) 
Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR Obudowa: C1 34mm Napięcie wsteczne maks.: 650V Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD50HFX65C1S
od PLN 118,85*
za szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT x2; Ic: 75A (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Obudowa: AG-EASY1B-1 Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 75A Prąd kolektor...
Infineon
F475R06W1E3BOMA1
od PLN 118,91*
za szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITOP2 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 35A Prąd kolektora w impu...
SEMIKRON DANFOSS
SK 35 GB 12T4 24914900
od PLN 119,86*
za szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 35A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Obudowa: P3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 35A Prąd kolektora w impulsie: 70A...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG35P12P3
od PLN 120,01*
za szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 600V; Ic: 160A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 160A Prąd kolektora w impulsie: 1kA Mo...
IXYS
IXXN200N60B3
od PLN 120,50*
za szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 15A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: MiniSKiiP® 1 Moc: 4kW Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 15A Zastosowanie:...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 11NAB126V1 25230010
od PLN 121,00*
za szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; mostek 3-fazowy IGBT; Ic: 40A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: E1-Pack Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 105A Za...
IXYS
MIXA40W1200TML
od PLN 122,22*
za szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 100A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 650V Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w impuls...
Microchip Technology
APT100GLQ65JU2
od PLN 122,53*
za szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 600V (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Obudowa: HW9434 Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 75A Prąd kolektora w impu...
DACO Semiconductor
DAGNH75600
od PLN 124,42*
za szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 20A (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Obudowa: AG-EASY1B-2 Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 20A Prąd kolektora w i...
Infineon
FP20R06W1E3B11BOMA1
od PLN 124,45*
za szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   77   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.