Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 35A


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-MG35P12P3-YAN
Producent:
     YANGJIE TECHNOLOGY
Nr producenta:
     MG35P12P3
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY
Obudowa: P3
Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV
Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 35A
Prąd kolektora w impulsie: 70A
Zastosowanie: silniki;falownik
Montaż elektryczny: Press-in PCB
Montaż mechaniczny: przykręcany
Typ modułu: IGBT
Topologia: mostek 3-fazowy diodowy;półmostek IGBT x3;termistor NTC;boost chopper
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 119,90*
  
Cena obowiązuje od 3 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 178,33*
PLN 219,35
za szt.
od 2 szt.
PLN 171,69*
PLN 211,18
za szt.
od 3 szt.
PLN 154,53*
PLN 190,07
za szt.
od 5 szt.
PLN 150,01*
PLN 184,51
za szt.
od 10 szt.
PLN 136,25*
PLN 167,59
za szt.
od 20 szt.
PLN 132,95*
PLN 163,53
za szt.
od 3000 szt.
PLN 119,90*
PLN 147,48
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.