Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Moduły IGBT

  Moduły IGBT (1 142 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; GJ-UZ (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Obudowa: GJ-UZ Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Prąd kolektora: 50A Zastosowanie: silniki;falownik Cena jednostkowa: Nie ...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG50UZ12GJ
od PLN 80,96*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 75A; GJ-U (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Obudowa: GJ-U Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 75A Prąd kolektora w impuls...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG75U12GJ
od PLN 80,99*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; GJ-U (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Obudowa: GJ-U Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Prąd kolektora: 50A Zastosowanie: silniki;falownik Cena jednostkowa: Nie M...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG50U12GJ
od PLN 81,05*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 83A (1 Oferta) 
Producent: POWERSEM Obudowa: ECO-PAC 2 Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 83A Prąd kolektora w impulsie: 200A Z...
Powersem
PSIS 130/06
od PLN 81,87*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 650V; Ic: 200A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 650V Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 200A Prąd kolektora w impulsie: 1,2kA M...
IXYS
IXXN200N65A4
od PLN 82,72*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 8A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: E1-Pack Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 8A Prąd kolektora w impulsie: 18A Zastosowa...
IXYS
MUBW10-06A6K
od PLN 84,17*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; mostek 3-fazowy diodowy; Ic: 10A (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Obudowa: AG-EASY1B-2 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 10A Prąd kolektora w i...
Infineon
FP10R12W1T7B11BOMA1
od PLN 84,191*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; mostek 3-fazowy IGBT; THT (1 Oferta) 
Producent: POWERSEM Obudowa: ECO-PAC 2 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 4,1A Prąd kolektora w impulsie: ...
Powersem
PSII 6/12
od PLN 84,23*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 86A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Prąd kolektora: 86A Cena jednostkowa: Nie Montaż elektryczny: przykręcany Montaż mech...
IXYS
IXG70IF1200NA
od PLN 85,02*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 12A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: E1-Pack Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 12A Prąd kolektora w impulsie: 30A Zastosow...
IXYS
MIXA10WB1200TML
od PLN 85,31*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A (1 Oferta) 
Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR Obudowa: L2.2 Napięcie wsteczne maks.: 650V Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 15A Prąd kolektora w impulsi...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD15PJX65L2S
od PLN 85,47*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 10A (1 Oferta) 
Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR Obudowa: L2.2 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 10A Prąd kolektora w impuls...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD10PJY120L2S
od PLN 85,59*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 84A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: V1-A-Pack Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 84A Prąd kolektora w impulsie: 225A Zasto...
IXYS
MIXA80R1200VA
od PLN 86,06*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A (1 Oferta) 
Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR Obudowa: F1.1 Napięcie wsteczne maks.: 650V Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 10A Prąd kolektora w impulsi...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD10PJX65F1S
od PLN 89,28*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 62A (1 Oferta) 
Producent: POWERSEM Obudowa: ECO-PAC 2 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 62A Prąd kolektora w impulsie: 100A Z...
Powersem
PSIS 75/12
od PLN 89,35*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   77   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.