Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper,termistor; Ic: 600A


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-SEMIX603GAL17E4P
Producent:
     SEMIKRON DANFOSS
Nr producenta:
     SEMIX603GAL17E4P 27894420
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Producent: SEMIKRON DANFOSS
Obudowa: SEMiX® 3p
Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV
Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 600A
Prąd kolektora w impulsie: 1,8kA
Zastosowanie: do UPS;falownik;przemiennik częstotliwości;fotowoltaika
Montaż elektryczny: Press-Fit;przykręcany
Montaż mechaniczny: przykręcany
Typ modułu: IGBT
Topologia: termistor;boost chopper
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 1 988,93*
  
Cena obowiązuje od 500 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 2 890,20*
PLN 3 554,95
za szt.
od 2 szt.
PLN 2 838,58*
PLN 3 491,45
za szt.
od 3 szt.
PLN 2 496,94*
PLN 3 071,24
za szt.
od 5 szt.
PLN 2 439,29*
PLN 3 000,33
za szt.
od 6 szt.
PLN 2 192,06*
PLN 2 696,23
za szt.
od 10 szt.
PLN 2 167,00*
PLN 2 665,41
za szt.
od 12 szt.
PLN 2 035,19*
PLN 2 503,28
za szt.
od 500 szt.
PLN 1 988,93*
PLN 2 446,38
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.