| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-1858157 Nr producenta: NVMJS1D3N04CTWG EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 235 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = LFPAK8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 1,3 milioma Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne napięcie progowe VGS = 3.5V Minimalne napięcie progowe VGS = 2.5V Maksymalna strata mocy = 128 W Konfiguracja tranzystora = Pojedynczy Maksymalne napięcie bramka-źródło = ±20 V Szerokość = 4.9mm Wysokość = 1.2mm Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 235 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40 V | Typ opakowania: | LFPAK8 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 1,3 milioma | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 3.5V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 2.5V | Maksymalna strata mocy: | 128 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | ±20 V | Długość: | 5mm | Maksymalna temperatura robocza: | +175°C |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: tranzystor mosfet, 1858157, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, onsemi, NVMJS1D3N04CTWG |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |