Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

MOSFET N-kanałowy 80 A TO-247 250 V Pojedynczy 390 W 16 miliomów


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-1464232
Producent:
     IXYS
Nr producenta:
     IXFH80N25X3
EAN/GTIN:
     5059041650878
Słowa kluczowe:
Tranzystor polowy
Tranzystory polowe
Tranzystor unipolarny
Tranzystory unipolarne
Najniższą rezystancję w stanie włączenia RDS(ON) i obciążenie bramki Qg Wytrzymałość dv/dt diody obudowy o szybkim i płynnym włączaniu i wyłączaniu Doskonała praca w trybie lawinowym Międzynarodowe standardowe obudowy Prostowniki akumulatorów lekkich pojazdów z napędem elektrycznym Synchroniczne prostowanie przy przełączaniu źródeł zasilania Sterowanie silnikiem Przetwornice DC-DC Zasilacze bezprzerwowe Elektryczne wózki widłowe Wzmacniacze audio klasy D Systemy telekomunikacyjne Wysoka wydajność Duża moc jednostkowa Większa niezawodność systemu Prosty montażRdzeń 200 MHz/330 DMIPS, MIPS32 microAptiv Pamięć flash Dual Panel z obsługą funkcji Live Update Moduł ADC, 12-bitów, 18 MSPS, 45 kanałów Moduł zarządzania pamięcią zapewniający optymalne działanie wbudowanego systemu operacyjnego Tryb microMIPS zapewniający nawet o 35% mniejszą ilość kodu CAN, UART, I2C, PMP, EBI, SQI i komparatory analogowe Interfejsy SPI/I2S do przetwarzania i odtwarzania dźwięku USB Hi-Speed w trybie urządzenie/host/OTG Ethernet MAC 10/100 Mb/s z interfejsem MII i RMII Zaawansowana ochrona pamięci 2 MB pamięci flash (plus dodatkowo 160 kB pamięci rozruchowej flash) 640 kB pamięci SRAM
Dalsze informacje:
Typ kanału:
N
Maksymalny ciągły prąd drenu:
80 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:
250 V
Typ opakowania:
TO-247
Seria:
HiperFET
Typ montażu:
Otwór przezierny
Liczba styków:
3
Maksymalna rezystancja dren-źródło:
16 miliomów
Tryb kanałowy:
Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS:
4.5V
Minimalne napięcie progowe VGS:
2.5V
Maksymalna strata mocy:
390 W
Konfiguracja tranzystora:
Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło:
±20 V
Długość:
16.24mm
Dalsze słowa kluczowe: MOSFET, Tranzystor MOSFET, Tranzystory MOSFET, Tranzystor, Tranzystory, tranzystor polowy, 1464232, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, IXYS, IXFH80N25X3
Oferty (3)
Stan magazynu
Min. liczba zamawianych produktów
Wysyłka
Cena ruchoma
Cena jednostkowa
^
Magazyn 3MTJS
30
Dostawa bezpłatna
od PLN 39,559*
PLN 44,739*
1
PLN 12,90*
od PLN 26,19*
PLN 48,23*
5 dni
20
1
PLN 25,46*
od PLN 48,65*
PLN 65,24*
Ceny: Magazyn 3MTJS
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 30 szt.
PLN 44,739*
PLN 55,029
za szt.
od 3000 szt.
PLN 39,559*
PLN 48,658
za szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 30 szt.
Minimalna liczba zamawianych produktów: 30 szt. ( odpowiada PLN 1 342,17* plus VAT )
Stan magazynu: Magazyn 3MTJS
Wysyłka: Magazyn 3MTJS
Wyświetl szczegółowe informacje o stanie magazynu.
Wartość zamówienia
Wysyłka
od PLN 0,00*
PLN 15,90*
od PLN 330,00*
Dostawa bezpłatna
Zasady zwrotu artykułu: Magazyn 3MTJS
Okres czasu:w przeciągu 21 dni
Stan opakowania:opakowanie oryginalne nieotwarte, brak uszkodzeń
Stan towaru:nieużywany
Koszty przesyłki zwrotnej:ponosi klient
Opłata manipulacyjna:Koszty zostaną ustalone przez partnera handlowego po sprawdzeniu każdego poszczególnego przypadku.
Okres gwarancyjny wg Ogólnych Warunków Handlowych pozostaje niezależny od podanych praw do zwrotu.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.