MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 1 502/1 502)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; 60V; 15,5A; Idm: 50A; 65W; DPAK (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 15,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 143mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 65W Polaryzacja: unipolar...

onsemi

NTDV20P06LT4G-VF01

PLN 4,36*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -60V; -86A; Idm: -344A; 125W (1 Oferta)

Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: PDFN5060-8 Napięcie dren-źródło: -60V Prąd drenu: -86A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polaryzacja: uni...

WAYON

WMB95P06TS

PLN 4,08*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -60V; -95A; Idm: -380A; 162,3W (1 Oferta)

Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie dren-źródło: -60V Prąd drenu: -95A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 162,3W Polaryzacja: unipol...

WAYON

WMM95P06TS

PLN 4,12*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -650V (1 Oferta)

Producent: BRIDGELUX Montaż: THT Napięcie dren-źródło: -650V Typ tranzystora: P-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj kanału: wzbogacany

Bridgelux

BXC65R075TH

PLN 14,72*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -8V; -5A; Idm: -108A; 1,7W; DSBGA9 (1 Oferta)

Producent: TEXAS INSTRUMENTS Montaż: SMD Obudowa: DSBGA9 Napięcie dren-źródło: -8V Prąd drenu: -5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9,1mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 1,7W Polaryzac...

Texas Instruments

CSD22206WT

PLN 4,77*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; 30V; 5,9A; 2,5W; TSOP6 (1 Oferta)

Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOP6 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 5,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 2,5W ...

Alpha & Omega Semiconductor

AOTS21311C

PLN 1,23*
za szt.