Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

Tranzystor: N-JFET; GaN; unipolarny; HEMT; 650V; 18A; Idm: 35A


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-TSG65N110CE-RVG
Producent:
     Taiwan Semiconductor
Nr producenta:
     TSG65N110CE RVG
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
Tranzystor polowy
Tranzystory polowe
Tranzystor unipolarny
Tranzystory unipolarne
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Montaż: SMD
Obudowa: PDFN88
Napięcie dren-źródło: 650V
Prąd drenu: 18A
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,11Ω
Typ tranzystora: N-JFET
Polaryzacja: unipolarny
Rodzaj opakowania: taśma
Właściwości elementów półprzewodnikowych: wyprowadzenie Kelvina
Ładunek bramki: 4nC
Technologia: GaN
Rodzaj tranzystora: HEMT
Rodzaj kanału: wzbogacany
Napięcie bramka-źródło: -10...7V
Prąd drenu w impulsie: 35A
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 42,17*
  
Cena obowiązuje od 3 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 76,06*
PLN 93,55
za szt.
od 2 szt.
PLN 75,95*
PLN 93,42
za szt.
od 5 szt.
PLN 64,68*
PLN 79,56
za szt.
od 10 szt.
PLN 63,61*
PLN 78,24
za szt.
od 20 szt.
PLN 62,15*
PLN 76,44
za szt.
od 25 szt.
PLN 55,15*
PLN 67,83
za szt.
od 100 szt.
PLN 49,46*
PLN 60,84
za szt.
od 500 szt.
PLN 47,76*
PLN 58,74
za szt.
od 3000 szt.
PLN 42,17*
PLN 51,87
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.