| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 8WVXN-SQJ868EP-T1-GE3 Nr producenta: SQJ868EP-T1_GE3 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 58A Rezystancja w stanie przewodzenia: 15mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 48W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma;rolka Ładunek bramki: 55nC Technologia: TrenchFET® Rodzaj kanału: wzbogacany Napięcie bramka-źródło: ±20V Prąd drenu w impulsie: 230A |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: MOSFET mocy, MOSFET dużej mocy, MOSFET, Tranzystor MOSFET, Tranzystory MOSFET, Tranzystor SMD, Tranzystory SMD, Tranzystor, Tranzystory, mosfet 40v, tranzystor polowy |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |