Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 4A


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-SKIIP10NAB12T4V1
Producent:
     SEMIKRON DANFOSS
Nr producenta:
     SKIIP 10NAB12T4V1 25231660
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Producent: SEMIKRON DANFOSS
Obudowa: MiniSKiiP® 1
Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV
Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 4A
Prąd kolektora w impulsie: 12A
Zastosowanie: do UPS;falownik;przemiennik częstotliwości;fotowoltaika
Montaż elektryczny: Press-Fit
Montaż mechaniczny: przykręcany
Typ modułu: IGBT
Topologia: mostek 3-fazowy diodowy;półmostek IGBT x3;termistor NTC;boost chopper
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 249,50*
  
Cena obowiązuje od 500 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 362,48*
PLN 445,85
za szt.
od 2 szt.
PLN 358,29*
PLN 440,70
za szt.
od 3 szt.
PLN 316,33*
PLN 389,09
za szt.
od 5 szt.
PLN 310,04*
PLN 381,35
za szt.
od 8 szt.
PLN 278,63*
PLN 342,71
za szt.
od 10 szt.
PLN 277,12*
PLN 340,86
za szt.
od 500 szt.
PLN 249,50*
PLN 306,89
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.