Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 4A


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-SKIIP10NAB12T4V1
Producent:
     SEMIKRON DANFOSS
Nr producenta:
     SKIIP 10NAB12T4V1 25231660
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Producent: SEMIKRON DANFOSS
Obudowa: MiniSKiiP® 1
Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV
Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 4A
Prąd kolektora w impulsie: 12A
Zastosowanie: do UPS;falownik;przemiennik częstotliwości;fotowoltaika
Montaż elektryczny: Press-Fit
Montaż mechaniczny: przykręcany
Typ modułu: IGBT
Topologia: mostek 3-fazowy diodowy;półmostek IGBT x3;termistor NTC;boost chopper
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 247,93*
  
Cena obowiązuje od 500 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 361,43*
PLN 444,56
za szt.
od 2 szt.
PLN 357,65*
PLN 439,91
za szt.
od 3 szt.
PLN 315,76*
PLN 388,38
za szt.
od 5 szt.
PLN 312,08*
PLN 383,86
za szt.
od 8 szt.
PLN 280,47*
PLN 344,98
za szt.
od 10 szt.
PLN 272,49*
PLN 335,16
za szt.
od 500 szt.
PLN 247,93*
PLN 304,95
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.