Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 12V; 4,5A; 7,8W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-SIA910EDJ-T1-GE3
Producent:
     Vishay
Nr producenta:
     SIA910EDJ-T1-GE3
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
Tranzystor polowy
Tranzystory polowe
Tranzystor unipolarny
Tranzystory unipolarne
Producent: VISHAY
Montaż: SMD
Napięcie dren-źródło: 12V
Prąd drenu: 4,5A
Rezystancja w stanie przewodzenia: 42mΩ
Typ tranzystora: N-MOSFET x2
Moc rozpraszana: 7,8W
Polaryzacja: unipolarny
Rodzaj opakowania: taśma;rolka
Ładunek bramki: 16nC
Technologia: TrenchFET®
Rodzaj kanału: wzbogacany
Napięcie bramka-źródło: ±8V
Prąd drenu w impulsie: 20A
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 1,24*
  
Cena obowiązuje od 1 500 000 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 3 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 3000 szt.
PLN 1,31*
PLN 1,61
za szt.
od 15000 szt.
PLN 1,28*
PLN 1,57
za szt.
od 30000 szt.
PLN 1,26*
PLN 1,55
za szt.
od 1500000 szt.
PLN 1,24*
PLN 1,53
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.