Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

Tranzystor: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; -30V


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     8WVXN-SIA817EDJ-T1-GE3
Producent:
     Vishay
Nr producenta:
     SIA817EDJ-T1-GE3
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
Tranzystor polowy
Tranzystory polowe
Tranzystor unipolarny
Tranzystory unipolarne
Producent: VISHAY
Montaż: SMD
Napięcie dren-źródło: -30V
Prąd drenu: -4,5A
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,125Ω
Typ tranzystora: P-MOSFET + Schottky
Moc rozpraszana: 6,5W
Polaryzacja: unipolarny
Rodzaj opakowania: taśma;rolka
Cena jednostkowa: Nie
Ładunek bramki: 23nC
Technologia: TrenchFET®
Rodzaj kanału: wzbogacany
Napięcie bramka-źródło: ±12V
Prąd drenu w impulsie: -15A
Oferty (2)
Stan magazynu
Min. liczba zamawianych produktów
Wysyłka
Cena ruchoma
Cena jednostkowa
^
3000
Dostawa bezpłatna
od PLN 0,605*
PLN 0,642*
Magazyn 8WVXN
3000
PLN 12,90*
od PLN 0,96*
PLN 0,96*
Ceny: Magazyn 8WVXN
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 3000 szt.
PLN 0,96*
PLN 1,18
za szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 3 000 szt.
Minimalna liczba zamawianych produktów: 3000 szt. ( odpowiada PLN 2 880,00* plus VAT )
Stan magazynu: Magazyn 8WVXN
Wysyłka: Magazyn 8WVXN
Wyświetl szczegółowe informacje o stanie magazynu.
Wartość zamówienia
Wysyłka
od PLN 0,00*
PLN 12,90*
Zasady zwrotu artykułu: Magazyn 8WVXN
Anulowanie, wymiana lub zwrot tego artykułu są wykluczone.
Okres gwarancyjny wg Ogólnych Warunków Handlowych pozostaje niezależny od podanych praw do zwrotu.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.