| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 8WVXN-SI4288DY-T1-GE3 Nr producenta: SI4288DY-T1-GE3 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 7,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 3,1W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma;rolka Ładunek bramki: 4,9nC Rodzaj kanału: wzbogacany Napięcie bramka-źródło: ±20V |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: Tranzystor unipolarny, Tranzystory unipolarne, MOSFET, Tranzystor MOSFET, Tranzystory MOSFET, Tranzystor SMD, Tranzystory SMD, Tranzystor, Tranzystory, mosfet 40v, tranzystor polowy |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |