Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

Tranzystor: IGBT; 650V; 25A; 87W; TO247-3


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-RGTH50TS65DGC11
Producent:
     ROHM Semiconductor
Nr producenta:
     RGTH50TS65DGC11
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaż: THT
Obudowa: TO247-3
Napięcie kolektor-emiter: 650V
Napięcie bramka - emiter: ±30V
Prąd kolektora: 25A
Prąd kolektora w impulsie: 100A
Czas załączania: 65ns
Czas wyłączania: 172ns
Typ tranzystora: IGBT
Moc rozpraszana: 87W
Rodzaj opakowania: tuba
Cena jednostkowa: Nie
Właściwości elementów półprzewodnikowych: integrated anti-parallel diode
Ładunek bramki: 49nC
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 9,17*
  
Cena obowiązuje od 5 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 16,08*
PLN 19,78
za szt.
od 5 szt.
PLN 14,29*
PLN 17,58
za szt.
od 10 szt.
PLN 14,17*
PLN 17,43
za szt.
od 20 szt.
PLN 13,81*
PLN 16,99
za szt.
od 30 szt.
PLN 12,22*
PLN 15,03
za szt.
od 50 szt.
PLN 11,62*
PLN 14,29
za szt.
od 90 szt.
PLN 10,51*
PLN 12,93
za szt.
od 5000 szt.
PLN 9,17*
PLN 11,28
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.