Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

Tranzystor: IGBT; 650V; 13A; 23W; TO220NFM


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-RGT50TM65DGC9
Producent:
     ROHM Semiconductor
Nr producenta:
     RGT50TM65DGC9
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor SMD
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaż: SMD
Obudowa: TO220NFM
Napięcie kolektor-emiter: 650V
Napięcie bramka - emiter: ±30V
Prąd kolektora: 13A
Prąd kolektora w impulsie: 75A
Czas załączania: 65ns
Czas wyłączania: 210ns
Typ tranzystora: IGBT
Moc rozpraszana: 23W
Rodzaj opakowania: tuba
Właściwości elementów półprzewodnikowych: integrated anti-parallel diode
Ładunek bramki: 49nC
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 6,23*
  
Cena obowiązuje od 15 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 11,79*
PLN 14,50
za szt.
od 5 szt.
PLN 10,57*
PLN 13,00
za szt.
od 10 szt.
PLN 10,32*
PLN 12,69
za szt.
od 20 szt.
PLN 10,14*
PLN 12,47
za szt.
od 25 szt.
PLN 8,99*
PLN 11,06
za szt.
od 50 szt.
PLN 8,52*
PLN 10,48
za szt.
od 100 szt.
PLN 7,52*
PLN 9,25
za szt.
od 500 szt.
PLN 7,09*
PLN 8,72
za szt.
od 15000 szt.
PLN 6,23*
PLN 7,66
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.