Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Tranzystor: IGBT; 650V; 25A; 97W; TO262


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-RGT50NS65DGC9
Producent:
     ROHM Semiconductor
Nr producenta:
     RGT50NS65DGC9
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaż: THT
Obudowa: TO262
Napięcie kolektor-emiter: 650V
Napięcie bramka - emiter: ±30V
Prąd kolektora: 25A
Prąd kolektora w impulsie: 75A
Czas załączania: 65ns
Czas wyłączania: 210ns
Typ tranzystora: IGBT
Moc rozpraszana: 97W
Rodzaj opakowania: tuba
Właściwości elementów półprzewodnikowych: integrated anti-parallel diode
Ładunek bramki: 49nC
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 6,82*
  
Cena obowiązuje od 15 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 16,42*
PLN 20,20
za szt.
od 10 szt.
PLN 13,62*
PLN 16,75
za szt.
od 20 szt.
PLN 13,04*
PLN 16,04
za szt.
od 50 szt.
PLN 10,77*
PLN 13,25
za szt.
od 100 szt.
PLN 9,71*
PLN 11,94
za szt.
od 500 szt.
PLN 7,74*
PLN 9,52
za szt.
od 15000 szt.
PLN 6,82*
PLN 8,39
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.