Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

Tranzystor: IGBT; 650V; 30A; 111W; TO247-3


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-RGS60TS65DHRC11
Producent:
     ROHM Semiconductor
Nr producenta:
     RGS60TS65DHRC11
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaż: THT
Obudowa: TO247-3
Napięcie kolektor-emiter: 650V
Napięcie bramka - emiter: ±30V
Prąd kolektora: 30A
Prąd kolektora w impulsie: 90A
Czas załączania: 46ns
Czas wyłączania: 290ns
Typ tranzystora: IGBT
Moc rozpraszana: 111W
Rodzaj opakowania: tuba
Właściwości elementów półprzewodnikowych: integrated anti-parallel diode
Ładunek bramki: 36nC
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 15,07*
  
Cena obowiązuje od 7 500 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 27,56*
PLN 33,90
za szt.
od 5 szt.
PLN 24,36*
PLN 29,96
za szt.
od 10 szt.
PLN 23,97*
PLN 29,48
za szt.
od 20 szt.
PLN 22,78*
PLN 28,02
za szt.
od 30 szt.
PLN 20,03*
PLN 24,64
za szt.
od 50 szt.
PLN 19,58*
PLN 24,08
za szt.
od 90 szt.
PLN 17,68*
PLN 21,75
za szt.
od 450 szt.
PLN 17,11*
PLN 21,05
za szt.
od 7500 szt.
PLN 15,07*
PLN 18,54
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.