Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  >  > Artykuł

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 9A; Idm: 27A; 125W; D2PAK


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-R6009JNJGTL
Producent:
     ROHM Semiconductor
Nr producenta:
     R6009JNJGTL
EAN/GTIN:
     brak danych
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaż: SMD
Obudowa: D2PAK
Napięcie dren-źródło: 600V
Prąd drenu: 9A
Rezystancja w stanie przewodzenia: 585mΩ
Typ tranzystora: N-MOSFET
Moc rozpraszana: 125W
Polaryzacja: unipolarny
Rodzaj opakowania: taśma;rolka
Cena jednostkowa: Nie
Ładunek bramki: 22nC
Rodzaj kanału: wzbogacany
Napięcie bramka-źródło: ±30V
Prąd drenu w impulsie: 27A
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 4,41*
  
Cena obowiązuje od 15 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 12,08*
PLN 14,86
za szt.
od 10 szt.
PLN 9,62*
PLN 11,83
za szt.
od 20 szt.
PLN 9,44*
PLN 11,61
za szt.
od 50 szt.
PLN 6,81*
PLN 8,38
za szt.
od 100 szt.
PLN 5,90*
PLN 7,26
za szt.
od 500 szt.
PLN 4,97*
PLN 6,11
za szt.
od 15000 szt.
PLN 4,41*
PLN 5,42
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.