Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,7kV


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-MDNA360UB2200PTED
Producent:
     IXYS
Nr producenta:
     MDNA360UB2200PTED
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Producent: IXYS
Obudowa: E2-Pack
Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV
Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 135A
Prąd kolektora w impulsie: 280A
Montaż elektryczny: Press-in PCB
Montaż mechaniczny: przykręcany
Typ modułu: IGBT
Topologia: mostek 3-fazowy diodowy;termistor NTC;boost chopper
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 845,14*
  
Cena obowiązuje od 500 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 1 194,52*
PLN 1 469,26
za szt.
od 2 szt.
PLN 1 181,36*
PLN 1 453,07
za szt.
od 3 szt.
PLN 1 063,66*
PLN 1 308,30
za szt.
od 5 szt.
PLN 885,57*
PLN 1 089,25
za szt.
od 10 szt.
PLN 883,71*
PLN 1 086,96
za szt.
od 500 szt.
PLN 845,14*
PLN 1 039,52
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.