Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 67A; Idm: 211A; 326W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-LGE3M28065Q
Producent:
     LUGUANG ELECTRONIC
Nr producenta:
     LGE3M28065Q
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
Tranzystor polowy
Tranzystory polowe
Tranzystor unipolarny
Tranzystory unipolarne
Producent: LUGUANG ELECTRONIC
Montaż: THT
Obudowa: TO247-4
Napięcie dren-źródło: 650V
Prąd drenu: 67A
Rezystancja w stanie przewodzenia: 39mΩ
Typ tranzystora: N-MOSFET
Moc rozpraszana: 326W
Polaryzacja: unipolarny
Rodzaj opakowania: tuba
Właściwości elementów półprzewodnikowych: wyprowadzenie Kelvina
Ładunek bramki: 163nC
Technologia: SiC
Rodzaj kanału: wzbogacany
Napięcie bramka-źródło: -4...18V
Prąd drenu w impulsie: 211A
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 62,05*
  
Cena obowiązuje od 3 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 108,67*
PLN 133,66
za szt.
od 2 szt.
PLN 106,49*
PLN 130,98
za szt.
od 3 szt.
PLN 95,71*
PLN 117,72
za szt.
od 5 szt.
PLN 90,30*
PLN 111,07
za szt.
od 10 szt.
PLN 79,14*
PLN 97,34
za szt.
od 20 szt.
PLN 78,83*
PLN 96,96
za szt.
od 30 szt.
PLN 75,23*
PLN 92,53
za szt.
od 120 szt.
PLN 70,42*
PLN 86,62
za szt.
od 3000 szt.
PLN 62,05*
PLN 76,32
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.