| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 8WVXN-IRFHM830TRPBF Nr producenta: IRFHM830TRPBF EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PQFN3.3X3.3 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 21A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2,7W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: rolka Technologia: HEXFET® Rodzaj kanału: wzbogacany |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: Tranzystor unipolarny, Tranzystory unipolarne, MOSFET mocy, MOSFET dużej mocy, MOSFET, Tranzystor MOSFET, Tranzystory MOSFET, Tranzystor SMD, Tranzystory SMD, Tranzystor, Tranzystory, tranzystor polowy |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |