| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 8WVXN-IRF820ASPBF Nr producenta: IRF820ASPBF EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: D2PAK;TO263 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 2,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 50W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma;rolka Ładunek bramki: 17nC Rodzaj kanału: wzbogacany Napięcie bramka-źródło: ±30V Prąd drenu w impulsie: 10A |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: IGBT, Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, MOSFET, Tranzystor MOSFET, Tranzystory MOSFET, Tranzystor SMD, Tranzystory SMD, Tranzystor, Tranzystory, tranzystor polowy |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |