Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-GD50PIX65C5S
Producent:
     STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nr producenta:
     GD50PIX65C5S
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Obudowa: C5 45mm
Napięcie wsteczne maks.: 650V
Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 50A
Prąd kolektora w impulsie: 100A
Montaż elektryczny: Press-in PCB
Montaż mechaniczny: przykręcany
Typ modułu: IGBT
Technologia: Trench FS IGBT
Topologia: mostek 3-fazowy diodowy;termistor NTC;boost chopper;mostek 3-fazowy IGBT wyjście OE
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 231,24*
  
Cena obowiązuje od 500 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 332,08*
PLN 408,46
za szt.
od 2 szt.
PLN 330,64*
PLN 406,69
za szt.
od 3 szt.
PLN 292,16*
PLN 359,36
za szt.
od 5 szt.
PLN 290,39*
PLN 357,18
za szt.
od 10 szt.
PLN 284,07*
PLN 349,41
za szt.
od 12 szt.
PLN 255,35*
PLN 314,08
za szt.
od 500 szt.
PLN 231,24*
PLN 284,43
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.