Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 30A


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-GD30PJX65L2S
Producent:
     STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nr producenta:
     GD30PJX65L2S
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Obudowa: L2.2
Napięcie wsteczne maks.: 650V
Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 30A
Prąd kolektora w impulsie: 60A
Cena jednostkowa: Nie
Montaż elektryczny: Press-in PCB
Montaż mechaniczny: przykręcany
Typ modułu: IGBT
Technologia: Trench FS IGBT
Topologia: mostek 3-fazowy diodowy;termistor NTC;boost chopper;mostek 3-fazowy IGBT wyjście OE
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, moduł igbt
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 100,64*
  
Cena obowiązuje od 3 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 158,47*
PLN 194,92
za szt.
od 2 szt.
PLN 152,45*
PLN 187,51
za szt.
od 3 szt.
PLN 134,63*
PLN 165,59
za szt.
od 5 szt.
PLN 132,05*
PLN 162,42
za szt.
od 10 szt.
PLN 129,12*
PLN 158,82
za szt.
od 12 szt.
PLN 116,09*
PLN 142,79
za szt.
od 20 szt.
PLN 112,65*
PLN 138,56
za szt.
od 24 szt.
PLN 110,80*
PLN 136,28
za szt.
od 3000 szt.
PLN 100,64*
PLN 123,79
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.