Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 15A


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-GD15PJY120F1S
Producent:
     STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nr producenta:
     GD15PJY120F1S
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Obudowa: F1.1
Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV
Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 15A
Prąd kolektora w impulsie: 30A
Cena jednostkowa: Nie
Montaż elektryczny: Press-in PCB
Montaż mechaniczny: przykręcany
Typ modułu: IGBT
Technologia: Advanced Trench FS IGBT
Topologia: mostek 3-fazowy diodowy;termistor NTC;boost chopper;mostek 3-fazowy IGBT wyjście OE
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, moduł igbt
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 108,08*
  
Cena obowiązuje od 3 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 171,92*
PLN 211,46
za szt.
od 2 szt.
PLN 164,07*
PLN 201,81
za szt.
od 3 szt.
PLN 144,86*
PLN 178,18
za szt.
od 5 szt.
PLN 141,73*
PLN 174,33
za szt.
od 10 szt.
PLN 126,74*
PLN 155,89
za szt.
od 20 szt.
PLN 119,23*
PLN 146,65
za szt.
od 25 szt.
PLN 116,04*
PLN 142,73
za szt.
od 3000 szt.
PLN 108,08*
PLN 132,94
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.