Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł: IGBT; dioda/tranzystor,wspólna bramka,wspólny emiter


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-5SNE0800E330100
Producent:
     ABB
Nr producenta:
     5SNE 0800E330100
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Producent: ABB
Obudowa: HIPAK
Napięcie wsteczne maks.: 3,3kV
Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor;wspólny emiter;wspólna bramka
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 800A
Prąd kolektora w impulsie: 1,6kA
Cena jednostkowa: Nie
Montaż elektryczny: przykręcany
Montaż mechaniczny: przykręcany
Typ modułu: IGBT
#Akcje #promocyjne: aac_202202
Topologia: buck chopper;boost chopper
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, moduł igbt
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 6 237,55*
  
Cena obowiązuje od 500 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 7 804,25*
PLN 9 599,23
za szt.
od 2 szt.
PLN 7 710,10*
PLN 9 483,42
za szt.
od 3 szt.
PLN 6 963,96*
PLN 8 565,67
za szt.
od 5 szt.
PLN 6 819,68*
PLN 8 388,21
za szt.
od 10 szt.
PLN 6 309,68*
PLN 7 760,91
za szt.
od 500 szt.
PLN 6 237,55*
PLN 7 672,19
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.