|  |
| |
| Nr artykułu:
7619-563938-BP Nr producenta:
IRF1010NPBF EAN/GTIN:
brak danych |
| |
|
| | |
| MOSFET Infineon Technologies IRF1010NPBF | Dane techniczne: C(ISS): 3210 pF · Cecha tranzystora: standardowy · I(d): 85 A · Ilość kanałów: 1 · Kod producenta: INF · Maksymalna temperatura robocza: +175 °C · Minimalna temperatura robocza: -55 °C · Moc (maks) P(TOT): 180 W · Napięcie niszczące U(BR) (DSS): 55 V · Napięcie odniesienia C(ISS): 25 V · Napięcie odniesienia Q(G): 10 V · Napięcie odniesienia R(DS)(on): 10 V · Natężenie odniesienia R(DS)(on): 43 A · Natężenie odniesienia maks U (GS)(th): 250 µA · Obudowa: TO-220AB · Producent: Infineon Technologies · Q(G): 120 C · R(DS) wł.: 11 mΩ · Rodzaj (typ producenta): IRF1010NPBF · Rodzaj montażu: do montażu w otworach · Seria (elementu półprzewodnikowego): HEXFET® · Typ tranzystora: MOSFET · U(DSS): 55 V · U(GS)(th) max.: 4 V · Wykonanie: Kanał-N · Zgodne z RoHS: Tak |
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: MOSFET mocy, MOSFET dużej mocy, MOSFET, Tranzystor MOSFET, Tranzystory MOSFET, Tranzystor, Tranzystory, tranzystor polowy, Infineon Technologies, IRF1010NPBF, 541-0777 |
| | |
| | | Oferty (2) | | |
| | Stan magazynu | | | Wysyłka | | | | | | | | | | | | | | | | PLN 12,90* | od PLN 3,06* | PLN 6,32* | | | | Magazyn 7619 | | | | | | PLN 16,25* | od PLN 5,20* | PLN 6,76* | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Ceny: Magazyn 7619 | | Liczba zamawianego produktu | Netto | Brutto | Jednostka | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |
|
| | | | | Stan magazynu: Magazyn 7619 | | Wysyłka: Magazyn 7619 | | | | | | Wartość zamówienia | Wysyłka | od PLN 0,00* | PLN 16,25* | | od PLN 333,00* | Dostawa bezpłatna |
|
| | | | | Zasady zwrotu artykułu: Magazyn 7619 | | | | Anulowanie, wymiana lub zwrot tego artykułu są wykluczone. | | Okres gwarancyjny wg Ogólnych Warunków Handlowych pozostaje niezależny od podanych praw do zwrotu. |
|
| | | | | | | |
|