Tranzystor FET 2N International Rectifier IRF630N

Tranzystor FET Infineon Technologies IRF630N | Tranzystory MOSFET są elementami sterowanymi napięciowo i mogą być podłączane bezpośrednio do wielkooporowych źródeł. Dlatego nadają się do stosowania jako przełączniki lub wzmacniacze analogowe. Uwaga: Producent SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS. Dane techniczne: C(ISS): 575 pF · Cecha tranzystora: standardowy · I(d): 9.3 A · Ilość kanałów: 1 · Kod producenta: INF · Maksymalna temperatura robocza: +175 °C · Minimalna temperatura robocza: -55 °C · Moc (maks) P(TOT): 82 W · Napięcie niszczące U(BR) (DSS): 200 V · Napięcie odniesienia C(ISS): 25 V · Napięcie odniesienia Q(G): 10 V · Napięcie odniesienia R(DS)(on): 10 V · Natężenie odniesienia R(DS)(on): 5.4 A · Natężenie odniesienia maks U (GS)(th): 250 µA · Obudowa: TO-263-3 · Producent: Infineon Technologies · Q(G): 35 C · R(DS) wł.: 300 mΩ · Rodzaj (typ producenta): IRF630N · Rodzaj montażu: montaż na powierzchni · Rodzaj produktu: MOSFET · Seria (elementu półprzewodnikowego): HEXFET® · U(DSS): 200 V · U(GS)(th) max.: 4 V · Wykonanie: Kanał-N