Tranzystor MOSFET (HEXFET) Vishay IRF 620, kanał N, TO 220, I(D) 5.2 A, U(DS) 20

Tranzystor MOSFET Vishay Vishay IRF620PBF | Dane techniczne: C(ISS): 260 pF · Cecha tranzystora: standardowy · I(d): 5.2 A · Ilość kanałów: 1 · Kod producenta: VIS · Maksymalna temperatura robocza: +150 °C · Minimalna temperatura robocza: -55 °C · Moc (maks) P(TOT): 50 W · Napięcie niszczące U(BR) (DSS): 200 V · Napięcie odniesienia C(ISS): 25 V · Napięcie odniesienia Q(G): 10 V · Napięcie odniesienia R(DS)(on): 10 V · Natężenie odniesienia R(DS)(on): 3.1 A · Natężenie odniesienia maks U (GS)(th): 250 µA · Obudowa: TO-220 · Producent: Vishay · Q(G): 14 C · R(DS) wł.: 800 mΩ · Rodzaj (typ producenta): IRF620PBF · Rodzaj montażu: do montażu w otworach · Rodzaj produktu: MOSFET · U(DSS): 200 V · U(GS)(th) max.: 4 V · Wykonanie: Kanał-N