Kategorie
Artykuły biurowe
Produkty IT
Technologia narzędziowa
Automatyka przemysłowa, elektronika
Wyposażenie zakładów
BHP
Handel techniczny
Medycyna, kosmetyka, laboratorium
Technika budowlana, instalacje
Opakowania, transport
Gastronomia, hotelarstwo
Środki czystości
Dalsze kategorie
Polska
Polski
Deutschland
Deutsch
English
Österreich
Deutsch
English
Nederland
Nederlands
English
Italia
Italiano
English
France
Français
English
España
Español
English
United Kingdom
English
Ireland
English
Polska
Polski
English
Magyarország
Magyar
English
Schweiz
Deutsch
Français
Italiano
English
België
Nederlands
Français
Deutsch
English
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Zaloguj się
Nie masz konta?
Zarejestruj się
>
Profil
Archiwum zamówień
Listy zakupów
Zapytania do Działu Zakupów
Koszyk zakupów
Strona startowa
>
Automatyka przemysłowa, elektronika
>
Elementy aktywne
>
Prostowniki Tranzystory Diody
>
Tranzystor
>
MOSFET mocy
>
Artykuł
Tranzystor MOSFET (HEXFET /FETKY) International Rectifier IRF 530 N, kanał N, TO
Liczba:
szt.
Informacje o produktach
Nr artykułu:
7619-162410-BP
Producent:
Infineon
Nr producenta:
IRF530N
EAN/GTIN:
brak danych
Słowa kluczowe:
MOSFET mocy
MOSFET dużej mocy
MOSFET
Tranzystor MOSFET
Tranzystor MOSFET International Infineon Technologies IRF530N | Tranzystory MOSFET są elementami sterowanymi napięciowo i mogą być podłączane bezpośrednio do wielkooporowych źródeł. Dlatego nadają się do stosowania jako przełączniki lub wzmacniacze analogowe. Uwaga: Producent SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS. Dane techniczne: C(ISS): 920 pF · Cecha tranzystora: standardowy · I(d): 17 A · Ilość kanałów: 1 · Kod producenta: INF · Maksymalna temperatura robocza: +175 °C · Minimalna temperatura robocza: -55 °C · Moc (maks) P(TOT): 3.8 W · Napięcie niszczące U(BR) (DSS): 100 V · Napięcie odniesienia C(ISS): 25 V · Napięcie odniesienia Q(G): 10 V · Napięcie odniesienia R(DS)(on): 10 V · Natężenie odniesienia R(DS)(on): 9 A · Natężenie odniesienia maks U (GS)(th): 250 µA · Obudowa: TO-263-3 · Producent: Infineon Technologies · Q(G): 37 C · R(DS) wł.: 90 mΩ · Rodzaj (typ producenta): IRF530N · Rodzaj montażu: montaż na powierzchni · Rodzaj produktu: MOSFET · Seria (elementu półprzewodnikowego): HEXFET® · U(DSS): 100 V · U(GS)(th) max.: 4 V · Wykonanie: Kanał-N
... >
04 - Elementy czynne
>
Tranzystory
>
Tranzystory FET
Dalsze słowa kluczowe:
Tranzystory MOSFET
,
Tranzystor
,
Tranzystory
,
mosfet mocy
,
Infineon Technologies
,
IRF530N
,
541-0755
Przegląd warunków
1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
Jest w magazynie
od PLN 3,01*
Cena obowiązuje od 22 500 szt.
Minimalna liczba zamawianych produktów: 3 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykuł
Dodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 3 szt.
PLN 3,83*
PLN 4,71
za szt.
od 15 szt.
PLN 3,76*
PLN 4,62
za szt.
od 30 szt.
PLN 3,73*
PLN 4,59
za szt.
od 60 szt.
PLN 3,66*
PLN 4,50
za szt.
od 150 szt.
PLN 3,47*
PLN 4,27
za szt.
od 22500 szt.
PLN 3,01*
PLN 3,70
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.
O nas
Wsparcie
Prasa
Kariera
Ogólne Warunki Handlowe
Informacje prawne
Polityka prywatności
Zrównoważony rozwój
Ustawienia prywatności