| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-9231335 Nr producenta: HFA3127BZ EAN/GTIN: 5059041371377 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Macierze tranzystorów, Intersil. Całkowita izolacja pomiędzy tranzystorami Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ tranzystora: | NPN | Maksymalny prąd DC kolektora: | 65 mA | Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 8 V | Typ opakowania: | SOIC | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Maksymalna strata mocy: | 150 mW | Konfiguracja tranzystora: | Izolacja | Maksymalne napięcie kolektor-baza: | 12 V | Maksymalne napięcie emiter-baza: | 5,5 V | Maksymalna częstotliwość robocza: | 8000 MHz | Liczba styków: | 16 | Liczba elementów na układ: | 5 | Wymiary: | 1.5 x 10 x 4mm | Maksymalna temperatura robocza: | +125°C |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: tranzystor npn, tranzystor smd, 9231335, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory bipolarne, Renesas Electronics, HFA3127BZ |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |