MOSFET N-kanałowy 50 A TO-220 200 V Pojedynczy 360 W 60 miliomów

Liczba:

opakowanie

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-9200717

Producent:
IXYS

Nr producenta:
IXTP50N20P

EAN/GTIN:
5059041032681

Słowa kluczowe:

N-kanałowy MOSFET, IXYS Seria HiperFET™ Polar™. Tranzystory N-kanałowe Power MOSFET z szybką diodą intrincyjną (HiPerFET™) firmy IXYS

Dalsze informacje:


Typ kanału:	N
Maksymalny ciągły prąd drenu:	50 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:	200 V
Typ opakowania:	TO-220
Seria:	HiperFET, Polar
Typ montażu:	Otwór przezierny
Liczba styków:	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło:	60 miliomów
Tryb kanałowy:	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS:	5.5V
Maksymalna strata mocy:	360 W
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	-20 V, +20 V
Długość:	10.66mm
Maksymalna temperatura robocza:	+175°C

Dalsze słowa kluczowe: 9200717, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, IXYS, IXTP50N20P

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 1 022,16*

Cena obowiązuje od 500 opakowania

1 opakowanie zawiera 50 szt. (od PLN 20,4432* za szt.)

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 opakowanie	PLN 1 160,35*	PLN 1 427,2305	za opakowanie
od 2 opakowania	PLN 1 146,75*	PLN 1 410,5025	za opakowanie
od 5 opakowania	PLN 1 081,73*	PLN 1 330,5279	za opakowanie
od 10 opakowania	PLN 1 059,93*	PLN 1 303,7139	za opakowanie
od 500 opakowania	PLN 1 022,16*	PLN 1 257,2568	za opakowanie

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.