| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-9200717 Nr producenta: IXTP50N20P EAN/GTIN: 5059041032681 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | N-kanałowy MOSFET, IXYS Seria HiperFET™ Polar™. Tranzystory N-kanałowe Power MOSFET z szybką diodą intrincyjną (HiPerFET™) firmy IXYS Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 50 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200 V | Typ opakowania: | TO-220 | Seria: | HiperFET, Polar | Typ montażu: | Otwór przezierny | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 60 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 5.5V | Maksymalna strata mocy: | 360 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Długość: | 10.66mm | Maksymalna temperatura robocza: | +175°C |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 9200717, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, IXYS, IXTP50N20P |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |