| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-9194886 Nr producenta: IRF9540NPBF EAN/GTIN: 5059043035864 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | P-Channel Power MOSFET o Infineon 100V do 150V. Seria Infineon tranzystorów zasilających MOSFET HEXFET® zawiera urządzenia P-kanałowe w pakietach do montażu powierzchniowego i ołowiowych oraz czynniki kształtowe, które mogą sprostać niemal wszelkim wyzwaniom w zakresie układu płyty i konstrukcji termicznej. W całym zakresie testów odporności przyczynia się do zmniejszenia strat związanych z przewodzeniem, co pozwala projektantom na zapewnienie optymalnej wydajności systemu. Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | P | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 23 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100 V | Typ opakowania: | TO-220AB | Seria: | HEXFET | Typ montażu: | Otwór przezierny | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 117 mΩ | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 2V | Maksymalna strata mocy: | 140 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Maksymalna temperatura robocza: | +175°C |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |