|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-9194791 Nr producenta:
IRL3803PBF EAN/GTIN:
5059043035826 |
| |
|
| | |
| MOSFET o mocy 30 V, Infineon. Dyskretne tranzystory zasilające MOSFET HEXFET® firmy Infineon zawierają urządzenia N-kanałowe w pakietach do montażu powierzchniowego i ołowiowych. I wielkości obudowy, które mogą sprostać niemal każdemu wyzwaniu związanemu z projektem płyty głównej i projektem termicznym. W całym zakresie testów odporności przyczynia się do zmniejszenia strat związanych z przewodzeniem, co pozwala projektantom na zapewnienie optymalnej wydajności systemu. Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 140 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30 V | Typ opakowania: | TO-220AB | Seria: | LogicFET | Typ montażu: | Otwór przezierny | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 6 mΩ | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 1V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 1V | Maksymalna strata mocy: | 200 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -16 V, +16 V | Maksymalna temperatura robocza: | +175°C |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: 9194791, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IRL3803PBF |
| | |
| |