MOSFET P-kanałowy 3,1 A SOIC 60 V SMD Izolacja 2,4 W 150 mΩ

Liczba:

opakowanie

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-9194198

Producent:
Vishay

Nr producenta:
SI4948BEY-T1-GE3

EAN/GTIN:
5059040657762

Słowa kluczowe:

Podwójny P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

Dalsze informacje:


Typ kanału:	P
Maksymalny ciągły prąd drenu:	3,1 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:	60 V
Typ opakowania:	SOIC
Typ montażu:	Montaż powierzchniowy
Liczba styków:	8
Maksymalna rezystancja dren-źródło:	150 mΩ
Tryb kanałowy:	Rozszerzenie
Minimalne napięcie progowe VGS:	1V
Maksymalna strata mocy:	2,4 W
Konfiguracja tranzystora:	Izolacja
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	-20 V, +20 V
Długość:	5mm
Maksymalna temperatura robocza:	+175°C
Liczba elementów na układ:	2

Dalsze słowa kluczowe: 9194198, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SI4948BEYT1GE3

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 4 667,05*

Cena obowiązuje od 500 opakowania

1 opakowanie zawiera 2 500 szt. (od PLN 1,86682* za szt.)

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 opakowanie	PLN 4 901,175*	PLN 6 028,44525	za opakowanie
od 2 opakowania	PLN 4 861,175*	PLN 5 979,24525	za opakowanie
od 5 opakowania	PLN 4 784,30*	PLN 5 884,689	za opakowanie
od 10 opakowania	PLN 4 731,375*	PLN 5 819,59125	za opakowanie
od 500 opakowania	PLN 4 667,05*	PLN 5 740,4715	za opakowanie

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.