| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-9194198 Nr producenta: SI4948BEY-T1-GE3 EAN/GTIN: 5059040657762 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Podwójny P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | P | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 3,1 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60 V | Typ opakowania: | SOIC | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 150 mΩ | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Minimalne napięcie progowe VGS: | 1V | Maksymalna strata mocy: | 2,4 W | Konfiguracja tranzystora: | Izolacja | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Długość: | 5mm | Maksymalna temperatura robocza: | +175°C | Liczba elementów na układ: | 2 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 9194198, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SI4948BEYT1GE3 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |