MOSFET N-kanałowy 12,7 A SOIC 25 V SMD Pojedynczy 2,5 W 9 miliomów

Liczba:

opakowanie

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-9190272

Producent:
Vishay

Nr producenta:
SI4116DY-T1-GE3

EAN/GTIN:
5059040650558

Słowa kluczowe:

MOSFET N-Channel, 8 V do 25 V, Vishay Semiconductor

Dalsze informacje:


Typ kanału:	N
Maksymalny ciągły prąd drenu:	12,7 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:	25 V
Typ opakowania:	SOIC
Typ montażu:	Montaż powierzchniowy
Liczba styków:	8
Maksymalna rezystancja dren-źródło:	9 miliomów
Tryb kanałowy:	Rozszerzenie
Minimalne napięcie progowe VGS:	0.6V
Maksymalna strata mocy:	2,5 W
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	-12 V, +12 V
Długość:	5mm
Maksymalna temperatura robocza:	+150°C
Liczba elementów na układ:	1

Dalsze słowa kluczowe: 9190272, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SI4116DYT1GE3

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 4 984,15*

Cena obowiązuje od 500 opakowania

1 opakowanie zawiera 2 500 szt. (od PLN 1,99366* za szt.)

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 opakowanie	PLN 5 189,725*	PLN 6 383,36175	za opakowanie
od 2 opakowania	PLN 5 161,10*	PLN 6 348,153	za opakowanie
od 5 opakowania	PLN 5 082,275*	PLN 6 251,19825	za opakowanie
od 10 opakowania	PLN 5 027,625*	PLN 6 183,97875	za opakowanie
od 500 opakowania	PLN 4 984,15*	PLN 6 130,5045	za opakowanie

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.