MOSFET P-kanałowy 2,3 A SOT-23 20 V SMD Pojedynczy 860 mW 112 miliomów

Liczba:

opakowanie

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-9190250

Producent:
Vishay

Nr producenta:
SI2301CDS-T1-GE3

EAN/GTIN:
5059040650398

Słowa kluczowe:

P-Channel MOSFET, 8 V do 20 V, Vishay Semiconductor

Dalsze informacje:


Typ kanału:	P
Maksymalny ciągły prąd drenu:	2,3 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:	20 V
Typ opakowania:	SOT-23
Typ montażu:	Montaż powierzchniowy
Liczba styków:	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło:	112 miliomów
Tryb kanałowy:	Rozszerzenie
Minimalne napięcie progowe VGS:	0.4V
Maksymalna strata mocy:	860 mW
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	-8 V, +8 V
Długość:	3.04mm
Maksymalna temperatura robocza:	+150°C
Liczba elementów na układ:	1

Dalsze słowa kluczowe: 9190250, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SI2301CDST1GE3

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 1 321,71*

Cena obowiązuje od 500 opakowania

1 opakowanie zawiera 3 000 szt. (od PLN 0,44057* za szt.)

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 opakowanie	PLN 1 560,30*	PLN 1 919,169	za opakowanie
od 2 opakowania	PLN 1 449,45*	PLN 1 782,8235	za opakowanie
od 5 opakowania	PLN 1 387,32*	PLN 1 706,4036	za opakowanie
od 10 opakowania	PLN 1 364,10*	PLN 1 677,843	za opakowanie
od 500 opakowania	PLN 1 321,71*	PLN 1 625,7033	za opakowanie

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.