| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-9190250 Nr producenta: SI2301CDS-T1-GE3 EAN/GTIN: 5059040650398 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | P-Channel MOSFET, 8 V do 20 V, Vishay Semiconductor Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | P | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 2,3 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20 V | Typ opakowania: | SOT-23 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 112 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Minimalne napięcie progowe VGS: | 0.4V | Maksymalna strata mocy: | 860 mW | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -8 V, +8 V | Długość: | 3.04mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 9190250, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SI2301CDST1GE3 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |