| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-9175475 Nr producenta: FDS5670 EAN/GTIN: 5059042011791 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | PowerTrench® N-Channel MOSFET, 10A do 19.9A, Fairchild Semiconductor Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 10 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60 V | Typ opakowania: | SOIC | Seria: | PowerTrench | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 14 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalna strata mocy: | 2,5 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Długość: | 5mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 9175475, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, onsemi, FDS5670 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |