|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-9175469 Nr producenta:
FDMS3572 EAN/GTIN:
5059042013634 |
| |
|
| | |
| UltraFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor. MOSFET UtraFET® trench łączy w sobie cechy, które umożliwiają uzyskanie wydajności w zastosowaniach konwersji mocy. Urządzenie jest w stanie wytrzymać wysoką energię w trybie lawinowym, a dioda wykazuje bardzo niski czas powrotu do tyłu i przechowywany ładunek. Optymalizacja pod kątem wydajności przy wysokich częstotliwościach, najkrótszy system RDS(on), niski poziom ESR oraz niski poziom naładowania w sumie i niski poziom naładowania przy wyjściu Millera. Zastosowania w konwerterach DC-DC o wysokiej częstotliwości, regulatorach przełączających, sterownikach silników, przełącznikach magistrali niskiego napięcia i zarządzaniu zasilaniem. Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 48 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 80 V | Typ opakowania: | PQFN8 | Seria: | UltraFET | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 29 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalna strata mocy: | 78 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Długość: | 5mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: 9175469, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, onsemi, FDMS3572 |
| | |
| |