| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-9171435 Nr producenta: IXTH80N65X2 EAN/GTIN: 5059041357081 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | N-kanałowy MOSFET, Seria IXYS X2. Tranzystor IXYS serii Power MOSFET Te wytrzymałe urządzenia są wyposażone w wewnętrzną diodę i nadają się zarówno do intensywnego przełączania, jak i do pracy w trybie rezonansowym. Tranzystory Power MOSFET klasy X2 są dostępne w różnych standardowych pakietach, w tym w postaci izolowanych typów, o natężeniu znamionowym do 120A przy 650 V. Typowe zastosowania obejmują przemienniki DC-DC, napędy silników AC i DC, zasilanie w trybie przełączania i rezonansowym, zasilacze DC Choppers, inwertory słoneczne, sterowanie temperaturą i oświetleniem. Bardzo niski RDS(on) i QG (ładowanie bramki) Wewnętrzna dioda prostownika Niska wewnętrzna oporność bramki Niska indukcyjność obudowy Obudowy zgodne z normami przemysłowymi Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 80 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650 V | Typ opakowania: | TO-247 | Seria: | X2-Class | Typ montażu: | Otwór przezierny | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 38 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 5V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 2.7V | Maksymalna strata mocy: | 890 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -30 V, +30 V | Długość: | 16.13mm |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 9171435, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, IXYS, IXTH80N65X2 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |