MOSFET N-kanałowy 80 A TO-247 650 V Pojedynczy 890 W 38 miliomów

N-kanałowy MOSFET, Seria IXYS X2. Tranzystor IXYS serii Power MOSFET Te wytrzymałe urządzenia są wyposażone w wewnętrzną diodę i nadają się zarówno do intensywnego przełączania, jak i do pracy w trybie rezonansowym. Tranzystory Power MOSFET klasy X2 są dostępne w różnych standardowych pakietach, w tym w postaci izolowanych typów, o natężeniu znamionowym do 120A przy 650 V. Typowe zastosowania obejmują przemienniki DC-DC, napędy silników AC i DC, zasilanie w trybie przełączania i rezonansowym, zasilacze DC Choppers, inwertory słoneczne, sterowanie temperaturą i oświetleniem. Bardzo niski RDS(on) i QG (ładowanie bramki) Wewnętrzna dioda prostownika Niska wewnętrzna oporność bramki Niska indukcyjność obudowy Obudowy zgodne z normami przemysłowymi