MOSFET N-kanałowy 46 A TO-247 650 V Pojedynczy 660 W 69 miliomów

N-kanałowy MOSFET, IXYS Seria HiPerFET™ X2. Tranzystor klasy IXYS X2 klasy HiPerFET Power MOSFET o znacznie mniejszej rezystancji i stopniu naładowania bramki w porównaniu z poprzednimi generacjami tranzystorów zasilających MOSFET, co skutkuje mniejszymi stratami i większą wydajnością operacyjną. Te wytrzymałe urządzenia są wyposażone w udoskonaloną diodę wewnętrzną o dużej prędkości, która jest odpowiednia zarówno do pracy w trybie trudnym, jak i w trybie rezonansowym. Tranzystory Power MOSFET klasy X2 są dostępne w różnych standardowych pakietach, w tym w postaci izolowanych typów, o natężeniu znamionowym do 120A przy 650 V. Typowe zastosowania obejmują przemienniki DC-DC, napędy silników AC i DC, zasilanie w trybie przełączania i rezonansowym, zasilacze DC Choppers, inwertory słoneczne, sterowanie temperaturą i oświetleniem. Bardzo niski RDS(on) i QG (ładowanie bramki) Szybka dioda prostownicza Niska wewnętrzna oporność bramki Niska indukcyjność obudowy Obudowy zgodne z normami przemysłowymi