| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-9155112 Nr producenta: IRLZ34NSTRLPBF EAN/GTIN: 5059043027562 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | MOSFET o mocy N-Channel 55 V, Infineon. Seria Infineon tranzystorów zasilających MOSFET HEXFET® zawiera urządzenia N-kanałowe w pakietach do montażu powierzchniowego i ołowiowych oraz czynniki kształtowe, które mogą sprostać niemal wszelkim wyzwaniom w zakresie układu płyty i konstrukcji termicznej. W całym zakresie testów odporności przyczynia się do zmniejszenia strat związanych z przewodzeniem, co pozwala projektantom na zapewnienie optymalnej wydajności systemu. Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 30 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55 V | Typ opakowania: | D2PAK (TO-263) | Seria: | HEXFET | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 60 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 1V | Maksymalna strata mocy: | 68 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -16 V, +16 V | Długość: | 10.67mm |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |