|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-9134705 Nr producenta:
IRLML5203TRPBF EAN/GTIN:
5059043422978 |
| |
|
| | |
| MOSFET o mocy 30 V, Infineon. Seria Infineon tranzystorów zasilających MOSFET HEXFET® zawiera urządzenia P-kanałowe w pakietach do montażu powierzchniowego i ołowiowych oraz czynniki kształtowe, które mogą sprostać niemal wszelkim wyzwaniom w zakresie układu płyty i konstrukcji termicznej. W całym zakresie testów odporności przyczynia się do zmniejszenia strat związanych z przewodzeniem, co pozwala projektantom na zapewnienie optymalnej wydajności systemu. Dalsze informacje: | | Typ kanału: | P | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 3 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30 V | Typ opakowania: | SOT-23 | Seria: | HEXFET | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 165 mΩ | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2.5V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 1V | Maksymalna strata mocy: | 1,25 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Długość: | 3.04mm |
|
| | |
| | | |
| | | |
| |