|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-9128687 Nr producenta:
IRF2805PBF EAN/GTIN:
5059043258744 |
| |
|
| | |
| MOSFET o mocy N-Channel 55 V, Infineon. Seria Infineon tranzystorów zasilających MOSFET HEXFET® zawiera urządzenia N-kanałowe w pakietach do montażu powierzchniowego i ołowiowych oraz czynniki kształtowe, które mogą sprostać niemal wszelkim wyzwaniom w zakresie układu płyty i konstrukcji termicznej. W całym zakresie testów odporności przyczynia się do zmniejszenia strat związanych z przewodzeniem, co pozwala projektantom na zapewnienie optymalnej wydajności systemu. Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 75 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55 V | Typ opakowania: | TO-220AB | Seria: | HEXFET | Typ montażu: | Otwór przezierny | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 4.7 mΩ | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 2V | Maksymalna strata mocy: | 330 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Długość: | 10.67mm |
|
| | |
| | | |
| | | |
| |