|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-9114846 Nr producenta:
BSC026N02KSGAUMA1 EAN/GTIN:
5059043272429 |
| |
|
| | |
| Infineon OptiMOS™2 - Rodzina Power MOSFET. Rodzina Infineon OptiMOS™2 N-Channel oferuje najniższą w branży wartość rezystancji w stanie włączenia w swojej grupie napięć. Tranzystory z serii Power MOSFET mogą być stosowane w wielu zastosowaniach, takich jak telekomunikacja o wysokiej częstotliwości, Datacom, oświetlenie słoneczne, napędy o niskim napięciu i zasilacze serwerowe. Rodzina produktów OptiMOS 2 obejmuje urządzenia od 20 V do ponad i oferuje szeroki wybór różnych typów obudów. Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 100 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20 V | Typ opakowania: | TDSON | Seria: | OptiMOS™ 2 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 4.5 mΩ | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 1.2V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 0.7V | Maksymalna strata mocy: | 2,8 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -12 V, +12 V | Długość: | 6.35mm |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: 9114846, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, BSC026N02KSGAUMA1 |
| | |
| |