| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-9075003 Nr producenta: IRLIZ34NPBF EAN/GTIN: 5059043248400 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | MOSFET o mocy N-Channel 55 V, Infineon. Seria Infineon tranzystorów zasilających MOSFET HEXFET® zawiera urządzenia N-kanałowe w pakietach do montażu powierzchniowego i ołowiowych oraz czynniki kształtowe, które mogą sprostać niemal wszelkim wyzwaniom w zakresie układu płyty i konstrukcji termicznej. W całym zakresie testów odporności przyczynia się do zmniejszenia strat związanych z przewodzeniem, co pozwala projektantom na zapewnienie optymalnej wydajności systemu. Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 22 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55 V | Typ opakowania: | TO-220 FP | Seria: | HEXFET | Typ montażu: | Otwór przezierny | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 60 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalna strata mocy: | 37 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -16 V, +16 V | Długość: | 10.6mm | Maksymalna temperatura robocza: | +175°C | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |