IGBT Ic 20 A Uce 650 V TO-220 Pojedynczy kanał: N 115 W

Liczba:

opakowanie

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-9062795

Producent:
ST Microelectronics

Nr producenta:
STGP10M65DF2

EAN/GTIN:
5059042197990

Słowa kluczowe:

Dyskretne IGBT STMicroelectronics

Dalsze informacje:


Maksymalny ciągły prąd kolektora:	20 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:	±20V
Maksymalna strata mocy:	115 W
Typ opakowania:	TO-220
Typ montażu:	Otwór przezierny
Typ kanału:	N
Liczba styków:	3
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Wymiary:	10.4 x 4.6 x 15.75mm
Energia znamionowa:	0.66mJ
Pojemność bramki:	840pF
Maksymalna temperatura robocza:	+175°C
Minimalna temperatura robocza:	-55°C

Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 9062795, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, STMicroelectronics, STGP10M65DF2

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 16,865*

Cena obowiązuje od 7 500 opakowania

1 opakowanie zawiera 5 szt. (od PLN 3,373* za szt.)

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 opakowanie	PLN 29,23*	PLN 35,9529	za opakowanie
od 5 opakowania	PLN 27,205*	PLN 33,46215	za opakowanie
od 10 opakowania	PLN 23,77*	PLN 29,2371	za opakowanie
od 20 opakowania	PLN 22,94*	PLN 28,2162	za opakowanie
od 25 opakowania	PLN 20,695*	PLN 25,45485	za opakowanie
od 50 opakowania	PLN 19,205*	PLN 23,62215	za opakowanie
od 7500 opakowania	PLN 16,865*	PLN 20,74395	za opakowanie

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.