| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-9062795 Nr producenta: STGP10M65DF2 EAN/GTIN: 5059042197990 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dyskretne IGBT STMicroelectronics Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Maksymalny ciągły prąd kolektora: | 20 A | Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 650 V | Maksymalne napięcie bramka-emiter: | ±20V | Maksymalna strata mocy: | 115 W | Typ opakowania: | TO-220 | Typ montażu: | Otwór przezierny | Typ kanału: | N | Liczba styków: | 3 | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Wymiary: | 10.4 x 4.6 x 15.75mm | Energia znamionowa: | 0.66mJ | Pojemność bramki: | 840pF | Maksymalna temperatura robocza: | +175°C | Minimalna temperatura robocza: | -55°C |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |